氮化硅烧嘴,三齐新材料公司,氮化硅

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氮化硅的晶胞参数与单质硅不同。因此根据沉积方法的不同,生成的氮化硅薄膜会有产生张力或应力。特别是当使用等离子体增强化学气相沉积技术时,能通过调节沉积参数来减少张力。先利用溶胶凝胶法制备出二氧化硅,氮化硅转子,然后同时利用碳热还原法和氮...


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氮化硅的晶胞参数与单质硅不同。因此根据沉积方法的不同,生成的氮化硅薄膜会有产生张力或应力。特别是当使用等离子体增强化学气相沉积技术时,能通过调节沉积参数来减少张力。

先利用溶胶凝胶法制备出二氧化硅,氮化硅转子,然后同时利用碳热还原法和氮化对其中包含特细碳粒子的硅胶进行处理后得到氮化硅纳米线。硅胶中的特细碳粒子是由葡萄糖在1200-1350℃分解产生的。合成过程中涉及的反应可能是:


氮化硅用做高级耐火材料,如与sic结合作SI3N4-SIC耐火材料用于高炉炉身等部位;如与BN结合作SI3N4-BN材料,氮化硅定量勺,用于水平连铸分离环。SI3N4-BN系水平连铸分离环是一种细结构陶瓷材料,结构均匀,具有高的机械强度。耐热冲击性好,又不会被钢液湿润,氮化硅烧嘴,符合连铸的工艺要求。见下表氮化硅用做高级耐火材料,如与sic结合作SI3N4-SIC耐火材料用于高炉炉身等部位;如与BN结合作SI3N4-BN材料,氮化硅,用于水平连铸分离环。SI3N4-BN系水平连铸分离环是一种细结构陶瓷材料,结构均匀,具有高的机械强度。耐热冲击性好,又不会被钢液湿润,符合连铸的工艺要求。见下表
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